Property of single-crystalline Si TFTs fabricated with μ-Czochralski (grain filter) process
Property of single-crystalline Si TFTs fabricated with μ-Czochralski (grain filter) process
复制标题
采用 μ-Czochralski（晶粒过滤器）工艺制造的单晶 Si TFT 的特性
DOI：
10.1117/12.482582
复制
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C. Beenakker
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Ishihara;P. C. van der Wilt;B. V. van Dijk;J. Metselaar;C. Beenakker
利用低温工艺在位置控制的大Si颗粒内形成tft是实现与大型玻璃基板上显示器的系统电路集成的一种有吸引力的方法。使用光刻技术的衬底局部结构变化允许在准激光结晶中精确定位控制大Si晶粒。采用μ-Czochraski法在a-Si薄膜的6 μm大晶粒内形成单晶Si tft。c-Si tft的场效应迁移率平均为450 cm2/Vs。本文将回顾和讨论TFT的结晶特性、扩散特性以及工艺参数的影响。
Formation of TFTs inside location-controlled large Si grains with a low temperature process is an attractive approach for realizing system-circuit integration with displays on a large glass substrate. Local structural variations of the substrate using photolithography allows an accurate location-control of the large Si grains in excimer-laser crystallization. Single-crystalline Si (c-Si) TFTs was formed inside a location-controlled large (6 μm) grain by μ-Czochraski process of a-Si film. The c-Si TFTs showed field effect mobility of 450 cm2/Vs on average. Crystallization characteristics, spread of the TFT characteristics and effects of process parameters will be reviewed and discussed.
准分子激光结晶硅薄膜形成的位置控制晶粒上的单晶 TFT
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Tech.Dig.Int.Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Hideya Kumomi;Chihiro Shin;Gou Nakagawa;Tanemasa Asano
通讯作者：
Tanemasa Asano