A graphene quantum dot with a single electron transistor as an integrated charge sensor
A graphene quantum dot with a single electron transistor as an integrated charge sensor
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具有单电子晶体管作为集成电荷传感器的石墨烯量子点
DOI：
10.1063/1.3533021
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发表时间：
2010-08
影响因子：
4
通讯作者：
Jiang, Hong-Wen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Hai-Ou;Tu, Tao;Guo, Guang-Can;Zhou, Cheng;Hao, Xiao-Jie;Su, Zhan;Cao, Gang;Wang, Lin-Jun;Guo, Guo-Ping;Jiang, Hong-Wen
具有集成电荷传感器的量子点（QD）正在成为基于自旋或电荷的固态量子比特的常见架构。为了在石墨烯中实现这样的结构，我们制造了一种双点结构，其中较大的点用作单电子晶体管（SET），以读出附近的栅极控制的小QD的电荷状态。10−3e/Hz的高SET灵敏度使我们能够探测量子点的库仑充电以及激发态光谱，即使在通过量子点的电流太小而无法通过传统传输方法测量的情况下。
A quantum dot (QD) with an integrated charge sensor is becoming a common architecture for a spin or charge based solid state qubit. To implement such a structure in graphene, we have fabricated a twin-dot structure in which the larger dot serves as a single electron transistor (SET) to read out the charge state of the nearby gate controlled small QD. A high SET sensitivity of 10−3e/Hz allowed us to probe Coulomb charging as well as excited state spectra of the QD, even in the regime where the current through the QD is too small to be measured by conventional transport means.
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影响因子：
3.7
作者：
Duty, T;Gunnarsson, D;Delsing, P
通讯作者：
Delsing, P
DOI：
10.1209/0295-5075/89/67005
发表时间：
2010-01
期刊：
EPL (Europhysics Letters)
影响因子：
--
作者：
F. Molitor;Helena S. Knowles;S. Dröscher;U. Gasser;T. Choi;P. Roulleau;J. Güttinger;A. Jacobsen;C. Stampfer;K. Ensslin;T. Ihn
通讯作者：
F. Molitor;Helena S. Knowles;S. Dröscher;U. Gasser;T. Choi;P. Roulleau;J. Güttinger;A. Jacobsen;C. Stampfer;K. Ensslin;T. Ihn
影响因子：
64.8
作者：
Lu, W;Ji, ZQ;Rimberg, AJ
通讯作者：
Rimberg, AJ
DOI：
10.1063/1.3224703
发表时间：
2009-11
期刊：
The Review of scientific instruments
影响因子：
--
作者：
R. Vijay;M. Devoret;I. Siddiqi
通讯作者：
R. Vijay;M. Devoret;I. Siddiqi
影响因子：
24.2
作者：
Ihn, T.;Guettinger, J.;Ensslin, K.
通讯作者：
Ensslin, K.