Ultrafast light induced unusually broad transient absorption in the sub-bandgap region of GeSe2 thin film.
Ultrafast light induced unusually broad transient absorption in the sub-bandgap region of GeSe2 thin film.
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DOI：
10.1038/srep03686
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发表时间：
2014-01-14
影响因子：
4.6
通讯作者：
Adarsh KV
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Barik AR;Bapna M;Drabold DA;Adarsh KV
在本文中，我们第一次表明，超快光照射可以诱导一个异常广泛的瞬态光吸收（TA），跨越200 nm的硫属化物GeSe 2薄膜的子带隙区域，我们解释为是一种表现的光致缺陷的创建和湮灭。 此外，TA在超短时间尺度显示在较长的波长处的最大值，然而蓝移随着时间的演变，这提供了第一个直接的证据，这些缺陷的多重衰减机制。详细的全球动力学数据的分析清楚地表明，需要两个和三个衰减常数分别在ps和ns的实验数据进行定量建模。
In this paper, we show for the first time that ultrafast light illumination can induce an unusually broad transient optical absorption (TA), spanning of ≈ 200 nm in the sub-bandgap region of chalcogenide GeSe2 thin films, which we interpret as being a manifestation of creation and annihilation of light induced defects. Further, TA in ultrashort time scales show a maximum at longer wavelength, however blue shifts as time evolves, which provides the first direct evidence of the multiple decay mechanisms of these defects. Detailed global analysis of the kinetic data clearly demonstrates that two and three decay constants are required to quantitatively model the experimental data at ps and ns respectively.
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