Fabrication of L10-FeNi films with high degree of order by denitriding FeNiN films
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FeNiN薄膜脱氮制备高有序度L10-FeNi薄膜
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Takanashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ito;M. Hayashida;T. Koganezawa;T. Nishio;S. Goto;H. Kura;M. Mizuguchi;H. Yanagihara;K. Takanashi
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影响因子：
4.6
作者：
Goto S;Kura H;Watanabe E;Hayashi Y;Yanagihara H;Shimada Y;Mizuguchi M;Takanashi K;Kita E
通讯作者：
Kita E
影响因子：
2.3
作者：
Kotsugi, Masato;Mitsumata, Chiharu;Taniguchi, Masaki
通讯作者：
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用于高性能永磁体的层状反铁磁 FeNiN 的正韦斯温度
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通讯作者：
K. Ono
FeNiN薄膜脱氮制备<i>L</i>1<sub>0</sub>-FeNi薄膜
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--
作者：
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通讯作者：
K. Takanashi
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2.7
作者：
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通讯作者：
Takanashi, Koki