Chemically manipulated anomalous Hall effect and perpendicular magnetic anisotropy in Co/Pt multilayers
Chemically manipulated anomalous Hall effect and perpendicular magnetic anisotropy in Co/Pt multilayers
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Co/Pt 多层膜中化学操纵的反常霍尔效应和垂直磁各向异性
DOI：
10.1016/j.apsusc.2014.09.021
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发表时间：
2014-11
影响因子：
6.7
通讯作者：
Yu Guang-Hua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang Shao-Long;Chen Xi;Zhang Jing-Yan;Yang Guang;Teng Jiao;Li Xu-Jing;Cao Yi;Zhao Zhi-Duo;Yang Kang;Liu Yang;Yu Guang-Hua
通过在MgO/[Co/Pt]3/MgO多层材料的Co层和MgO层之间引入Mg金属层，研究了MgO/[Co/Pt]3/MgO多层材料的化学异常霍尔效应（AHE）和垂直磁各向异性（PMA）。结果表明，与未添加Mg的多层材料相比，饱和异常霍尔电阻率（ρAH）和有效磁各向异性（Keff）分别增大125%和26%。x射线光电子能谱（XPS）分析表明，AHE和PMA的增强主要归因于Co/MgO界面化学态的有效控制。
Chemically manipulated anomalous Hall effect (AHE) and perpendicular magnetic anisotropy (PMA) have been studied in MgO/[Co/Pt]3/MgO multilayers by introducing a Mg metal layer between the Co layer and the top MgO layer. It is shown that the saturation anomalous Hall resistivity (ρAH) and effective magnetic anisotropy (Keff) are 125% and 26% larger than those in the multilayers without Mg insertion, respectively. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis shows that the enhancement of AHE and PMA is primarily ascribed to effective control of chemical states at the Co/MgO interface.
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影响因子：
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作者：
Zaibing Guo;W. Mi;A. Manchon;J. Li;Bei Zhang;P. Barba;Xixiang Zhang
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Zaibing Guo;W. Mi;A. Manchon;J. Li;Bei Zhang;P. Barba;Xixiang Zhang
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SMIT, J
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KOPRINAROVA, J
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通讯作者：
Jong Ho Jung;S. Lim;S. Lee