Tetrasilatetrahedranide: The First Silicon Cage Anion
Tetrasilatetrahedranide: The First Silicon Cage Anion
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四硅四面体：第一个硅笼阴离子
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Vladimir Ya.Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Niwa;et. al.;Vladimir Ya.Lee
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嵌入 SiO2 基质中的 IV 族元素簇的光致发光光谱
DOI：
10.1007/bf01429126
发表时间：
1993
期刊：
Zeitschrift für Physik D Atoms, Molecules and Clusters
影响因子：
--
作者：
Shin Hayashi;Y. Kanzawa;M. Kataoka;T. Nagareda;K. Yamamoto
通讯作者：
K. Yamamoto
大型共价和金属簇的电子和原子结构：在簇组装材料中的应用
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.232.27
发表时间：
1996
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Broyer;M. Pellarin;B. Baguenard;J. Lermé;J. Vialle;P. Mélinon;J. Tuaillon;V. Dupuis;B. Prével;A. Pérez
通讯作者：
A. Pérez
影响因子：
15
作者：
Moran, D;Woodcock, HL;Schleyer, PV
通讯作者：
Schleyer, PV
硅纳米团簇稳定性和清洁能隙存在的因素
影响因子：
3.2
作者：
Lei Liu;C. Jayanthi;S. Wu
通讯作者：
S. Wu
影响因子：
56.9
作者：
BROWN, WL;FREEMAN, RR;SCHLUTER, M
通讯作者：
SCHLUTER, M