Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution
Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution
复制标题
具有大成分分布的多晶 SiGe 中存在内置应变的证据
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G.Sazaki et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Usami;T.Takahashi;K.Fujiwara;T.Ujihara;G.Sazaki et al.
通过微观成分分布控制多晶SiGe的宏观吸收系数
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 41
影响因子：
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作者：
N.Usami;K.Fujiwara;T.Ujihara;G.Sazaki;H.Yaguchi et al.
通讯作者：
H.Yaguchi et al.
利用晶体-溶液界面的原位监测生长具有均匀成分的 SixGe1-x (x fallingdotseq0.15) 块状晶体
影响因子：
1.5
作者：
N. Usami;Y. Azuma;T. Ujihara;G. Sazaki;S. Miyashita;Y. Murakami;K. Nakajima
通讯作者：
K. Nakajima