Emergence of higher order rotational symmetry in the hidden order phase of URuSi
Emergence of higher order rotational symmetry in the hidden order phase of URuSi
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URuSi 隐阶相中高阶旋转对称性的出现
DOI：
10.1080/14786435.2016.1235294
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发表时间：
2016
影响因子：
1.6
通讯作者：
Maple, M. B.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kanchanavatee, N.;Janoschek, M.;Huang, K.;White, B. D.;Riseborough, P. S.;Balatsky, A. V.;Maple, M. B.
电阻率测量作为温度、磁场和磁场与URu Si单晶的c轴之间的角度的函数进行。电阻率在高温下表现出作为函数的两倍振荡，其在约35 K处随着温度的降低而经历180 °相移（符号变化）。隐藏的顺序转变表现为最小的磁电阻和振幅的两倍振荡。有趣的是，电阻率也显示出四重，六重和八重对称性的隐藏顺序过渡。这些高阶对称性也在低温下被检测到，这可能是在超导转变上方形成另一个赝能隙相的迹象，与最近的点接触光谱测量和NMR的赝能隙证据一致。测量单晶URu Si的磁化强度与施加的磁场平行和垂直于晶体学的c轴显示区域与线性温度依赖性之间的隐藏顺序转变温度和约25 K。磁化强度的这种T-线性行为可能与在30-35 K附近的态密度中的前体相或“赝能隙”的形成有关。
Electrical resistivity measurements were performed as functions of temperature, magnetic field, and angle between the magnetic field and the c-axis of a URu Si single crystal. The resistivity exhibits a two-fold oscillation as a function of at high temperatures, which undergoes a 180-phase shift (sign change) with decreasing temperature at around 35 K. The hidden order transition is manifested as a minimum in the magnetoresistance and amplitude of the two-fold oscillation. Interestingly, the resistivity also showed four-fold, six-fold, and eight-fold symmetries at the hidden order transition. These higher order symmetries were also detected at low temperatures, which could be a sign of the formation of another pseudogap phase above the superconducting transition, consistent with recent evidence for a pseudogap from point-contact spectroscopy measurements and NMR. Measurements of the magnetisation of single crystalline URu Si with the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystallographic c-axis revealed regions with linear temperature dependencies between the hidden order transition temperature and about 25 K. This T-linear behaviour of the magnetisation may be associated with the formation of a precursor phase or ‘pseudogap’in the density of states in the vicinity of 30–35 K.
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