"Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co_2MnSi thin film and MgO tunnel barrier"
"Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions using Co_2MnSi thin film and MgO tunnel barrier"
复制标题
“利用Co_2MnSi薄膜和MgO隧道势垒制造全外延磁隧道结”
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Uemura and M. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kijima;T. Ishikawa;T. Marukame;K. -i. Matsuda;T. Uemura and M. Yamamoto
用于低电阻和无耦合磁隧道结的外延 MgO 层
影响因子：
4
作者：
E. Popova;J. Faure;C. Tiușan;C. Bellouard;H. Fischer;M. Hehn;F. Montaigne;M. Alnot;S. Andrieu;A. Schuhl;E. Snoeck;V. D. Costa
通讯作者：
V. D. Costa
C_o2Mn_l-xFe_xSn合金的自旋极化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Rajanikanth;D. Kande; Y. K. Takahashi and K Hono;中谷友也;S. Varaprasad;T.M. Nakatani;中谷友也;A. Rajanikanth
通讯作者：
A. Rajanikanth