Development of thermodynamic modeling of oxygen-doped GaN semiconductor
Development of thermodynamic modeling of oxygen-doped GaN semiconductor
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氧掺杂GaN半导体热力学模型的发展
DOI：
10.1016/s0364-5916(03)00025-7
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发表时间：
2003-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Weijing Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jing-Bo Li*;J.-C. Tedenac;Changrong Li;Weijing Zhang
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DOI：
10.1016/s0364-5916(00)00021-3
发表时间：
2000-06
影响因子：
2.4
作者：
Changrong Li;Z. Du;Weijing Zhang
通讯作者：
Changrong Li;Z. Du;Weijing Zhang
影响因子：
3.2
作者：
J. E. Nostrand;J. Solomon;A. Saxler;Q. Xie;D. C. Reynolds;D. Look
通讯作者：
J. E. Nostrand;J. Solomon;A. Saxler;Q. Xie;D. C. Reynolds;D. Look
影响因子：
1.8
作者：
M. Forte-Poisson;F. Huet;A. Romann;M. Tordjman;D. Lancefield;E. Pereira;J. Persio;B. Pécz
通讯作者：
M. Forte-Poisson;F. Huet;A. Romann;M. Tordjman;D. Lancefield;E. Pereira;J. Persio;B. Pécz
影响因子：
2.1
作者：
Q. Chen;M. Hillert;B. Sundman;W. A. Oates;S. Fries;R. Schmid-Fetzer
通讯作者：
Q. Chen;M. Hillert;B. Sundman;W. A. Oates;S. Fries;R. Schmid-Fetzer
影响因子：
3.7
作者：
Kasic, A;Schubert, M;Tiwald, TE
通讯作者：
Tiwald, TE