Time-Resolved Dynamics of Shallow Acceptor Transitions in Silicon
Time-Resolved Dynamics of Shallow Acceptor Transitions in Silicon
复制标题
硅中浅受主跃迁的时间分辨动力学
DOI：
10.1103/physrevx.3.011019
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发表时间：
2013
影响因子：
12.5
通讯作者：
Vinh N
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Vinh N
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影响因子：
8.6
作者：
Karaiskaj, D;Stotz, JAH;Cardona, M
通讯作者：
Cardona, M
影响因子：
2
作者：
B. Murdin
通讯作者：
B. Murdin
量子阱限制对 δ 掺杂 GaAs/AlAs 多量子阱受主态寿命的影响
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Zheng;M. Halsall;P. Harrison;J. Wells;I. Bradley;M. Steer
通讯作者：
M. Steer
影响因子：
3.7
作者：
Stegner, A. R.;Tezuka, H.;Itoh, K. M.
通讯作者：
Itoh, K. M.
Si 和 Ge 中的浅受主共振态。
DOI：
10.1103/physrevb.45.5838
发表时间：
1992
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Buczkó;Bassani
通讯作者：
Bassani