Comparative study of electrical characteristics in (1 0 0) and (1 1 0) surface-oriented nMOSFETs with direct contact La-silicate/Si interface structure
Comparative study of electrical characteristics in (1 0 0) and (1 1 0) surface-oriented nMOSFETs with direct contact La-silicate/Si interface structure
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具有直接接触La-硅酸盐/Si界面结构的(1 0 0)和(1 1 0)表面取向nMOSFET电特性的比较研究
DOI：
10.1016/j.sse.2013.02.021
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发表时间：
2013
影响因子：
1.7
通讯作者：
H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kawanago;K. Kakushima;P. Ahmet;Y. Kataoka;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Tsutsui;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
在扁平 (110) 取向硅基板上制造的高性能低噪声 CMOS
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)
影响因子：
--
作者：
T.Hamada.A.Teramoto;H.Akahori;K.Nii;M.Hirayama;T.Ohmi
通讯作者：
T.Ohmi