High Performance Low Noise CMOS Fabricated on Flattened (110) oriented Si Substrate
High Performance Low Noise CMOS Fabricated on Flattened (110) oriented Si Substrate
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在扁平 (110) 取向硅基板上制造的高性能低噪声 CMOS
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hamada.A.Teramoto;H.Akahori;K.Nii;M.Hirayama;T.Ohmi
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亚微米 3D 表面取向优化 CMOS 技术
DOI：
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发表时间：
1986
期刊：
1986 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
M. Kinugawa;M. Kakumu;J. Matsunaga
通讯作者：
J. Matsunaga
沟道长度低于 0.1 /spl mu/m 的垂直 MOS 技术
影响因子：
1.1
作者：
H. Gossner;F. Wittmann;I. Eisele;T. Grabolla;D. Behammer
通讯作者：
D. Behammer
影响因子：
3.1
作者：
Momose, HS;Ohguro, T;Iwai, H
通讯作者：
Iwai, H
晶体取向对氧化硅表面 p 型反型层迁移率、表面态密度和噪声的影响
影响因子：
1.5
作者：
Tai Sato;Y. Takeishi;H. Hara
通讯作者：
H. Hara
具有直接隧道栅氧化物的 CMOS 性能和可靠性的晶圆取向依赖性研究
DOI：
10.1109/vlsit.2001.934955
发表时间：
2001
期刊：
2001 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.01 CH37184)
影响因子：
--
作者：
H. Momose;T. Ohguro;S. Nakamura;Y. Toyoshima;H. Ishiuchi;H. Iwai
通讯作者：
H. Iwai