A high repetition rate passively Q-switched microchip laser for controllable transverse laser modes
A high repetition rate passively Q-switched microchip laser for controllable transverse laser modes
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用于可控横向激光模式的高重复率被动调Q微芯片激光器
DOI：
10.1088/2040-8978/18/5/055205
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发表时间：
2016-03
影响因子：
2.1
通讯作者：
er A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dong Jun;Bai Sheng-Chuang;Liu Sheng-Hui;Ueda Ken-Ichi;Kaminskii Alex;er A.
通过沿倾斜泵浦光束方向调整 Nd:YVO4 晶体的位置，展示了一种用于多功能可控横向激光模式的 Cr4+:YAG 被动 Q 开关 Nd:YVO4 微芯片激光器。 Nd:YVO4 晶体内泵浦光束直径相关的不对称饱和反转布居控制着各种拉盖尔-高斯、因斯-高斯和埃尔米特-高斯模式的振荡。根据 Nd:YVO4 晶体的位置，已经实现了重复率超过 25 kHz 至高达 183 kHz 的可控横向激光模式。获得了纳秒级脉冲宽度、峰值功率超过数百瓦的可控横向激光束，在光捕获和量子计算方面具有潜在的应用前景。
A Cr4+:YAG passively Q-switched Nd:YVO4 microchip laser for versatile controllable transverse laser modes has been demonstrated by adjusting the position of the Nd:YVO4 crystal along the tilted pump beam direction. The pump beam diameter-dependent asymmetric saturated inversion population inside the Nd:YVO4 crystal governs the oscillation of various Laguerre–Gaussian, Ince–Gaussian and Hermite–Gaussian modes. Controllable transverse laser modes with repetition rates over 25 kHz and up to 183 kHz, depending on the position of the Nd:YVO4 crystal, have been achieved. The controllable transverse laser beams with a nanosecond pulse width and peak power over hundreds of watts have been obtained for potential applications in optical trapping and quantum computation.
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