Acceptor-oxygen defects in silicon: The electronic properties of centers formed by boron, gallium, indium, and aluminum interactions with the oxygen dimer
Acceptor-oxygen defects in silicon: The electronic properties of centers formed by boron, gallium, indium, and aluminum interactions with the oxygen dimer
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硅中的受主氧缺陷：硼、镓、铟和铝与氧二聚体相互作用形成的中心的电子特性
DOI：
10.1063/5.0076980
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发表时间：
2021
影响因子：
3.2
通讯作者：
De Guzman J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
De Guzman J
硼氧复合物导致硅光伏电池光致降解：对该问题的新见解
DOI：
10.1002/pssa.201900315
发表时间：
2019
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
V. Markevich;M. Vaqueiro;J. T. D. de Guzman;J. Coutinho;P. Santos;I. Crowe;M. Halsall;I. Hawkins;S. Lastovskii;L. I. Murin;A. Peaker
通讯作者：
A. Peaker