Characterization of Void in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Controlling Coherence Length of Light Source using Near-Infrared Microscope
Characterization of Void in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers by Controlling Coherence Length of Light Source using Near-Infrared Microscope
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使用近红外显微镜控制光源的相干长度来表征绝缘体上键合硅晶圆中的空隙
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Noritaka AJARI;et al.
影响因子：
1.5
作者：
K. Mitani;V. Lehmann;R. Stengl;D. Feijóo;Ulrich M. Gösele Ulrich M. Gösele;Hisham Z. Massoud Hisham Z. Massoud
通讯作者：
Hisham Z. Massoud Hisham Z. Massoud