Carbon nanotube growth on Si substrate using pulse arc plasma in high vacuum

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高真空下使用脉冲电弧等离子体在硅衬底上生长碳纳米管

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
白岩倫行
白岩倫行
中科院分区:
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文献类型:
--
作者:
T. Maruyama;K. Tanioku and S. Naritsuka;丸山隆浩;谷奥健次;穂積葉子;谷奥健次;白岩倫行

文献摘要

参考文献

被引文献

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