Two-photon-induced quenching of photoluminescence in wide-gap semiconductor
Two-photon-induced quenching of photoluminescence in wide-gap semiconductor
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宽带隙半导体中双光子诱导光致发光猝灭
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshimasa Kawata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Makoto Torizawa;Yoshimasa Kawata
InGaN/GaN 多量子阱和蓝色 LED 的光学特性
DOI：
10.1016/s0925-3467(99)00138-x
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Su;G. Chi;J. Sheu
通讯作者：
J. Sheu
宽禁带半导体晶体中双光子诱导的光致发光猝灭
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Appl. Phys. Lett. 88,22
影响因子：
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作者：
M.Torizawa;Y.Kawata
通讯作者：
Y.Kawata
利用双光子激发对半导体晶体内部缺陷进行三维观察。
影响因子：
3.6
作者：
Y. Kawata;Shigetoshi Kunieda;T. Kaneko
通讯作者：
T. Kaneko