Mott insulator to metal transition driven by oxygen incorporation in epitaxial LaTiO3 films
Mott insulator to metal transition driven by oxygen incorporation in epitaxial LaTiO3 films
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外延 LaTiO3 薄膜中氧掺入驱动莫特绝缘体到金属的转变
DOI：
10.1063/1.5132568
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发表时间：
2019-12
影响因子：
4
通讯作者：
Pan X. Q.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang T. T.;Gu C. Y.;Mao Z. W.;Chen X. F.;Gu Z. B.;Wang P.;Nie Y. F.;Pan X. Q.
钛酸镧（LaTiO3）是一种具有Ti 3d1电子结构的反铁磁性Mott绝缘体，其外延膜生长在SrTiO3衬底上，呈现出有趣的金属态。本文采用反应性分子束外延技术，系统研究了LaTiO3外延膜的生长条件和双轴应变，探讨了Mott绝缘体向金属过渡的驱动力。在我们研究的双轴压缩应变可达到的范围内（高达- 2.4%），我们发现氧的掺入比双轴外延应变在LaTiO3薄膜中Mott绝缘体到金属的转变中起着更重要的作用。钛酸镧（LaTiO3）是一种具有Ti 3d1电子结构的反铁磁性Mott绝缘体，其外延膜生长在SrTiO3衬底上，呈现出有趣的金属态。本文采用反应性分子束外延技术，系统研究了LaTiO3外延膜的生长条件和双轴应变，探讨了Mott绝缘体向金属过渡的驱动力。在我们研究的双轴压缩应变可达到的范围内（高达- 2.4%），我们发现氧的掺入比双轴外延应变在LaTiO3薄膜中Mott绝缘体到金属的转变中起着更重要的作用。
Lanthanum titanate, LaTiO3, is an antiferromagnetic Mott insulator with a Ti 3d1 electronic configuration and exhibits an intriguing metallic state in its epitaxial film grown on the SrTiO3 substrate. Here, we explore the driving force of the Mott insulator to metal transition in LaTiO3 epitaxial films by a systematic study of the film growth conditions and biaxial strain using reactive molecular beam epitaxy. Within the achievable range (up to −2.4%) of the biaxial compressive strain in our study, we found that the oxygen incorporation plays a more crucial role than the biaxial epitaxial strain in the Mott insulator to metal transition in LaTiO3 films.Lanthanum titanate, LaTiO3, is an antiferromagnetic Mott insulator with a Ti 3d1 electronic configuration and exhibits an intriguing metallic state in its epitaxial film grown on the SrTiO3 substrate. Here, we explore the driving force of the Mott insulator to metal transition in LaTiO3 epitaxial films by a systematic study of the film growth conditions and biaxial strain using reactive molecular beam epitaxy. Within the achievable range (up to −2.4%) of the biaxial compressive strain in our study, we found that the oxygen incorporation plays a more crucial role than the biaxial epitaxial strain in the Mott insulator to metal transition in LaTiO3 films.
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Lesueur, J.
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R. Pentcheva;W. Pickett
通讯作者：
R. Pentcheva;W. Pickett
DOI：
10.1080/00107517308210764
发表时间：
1973-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
N. F. Mott
通讯作者：
N. F. Mott