RTS in submicron MOSFETs and quantum dots
RTS in submicron MOSFETs and quantum dots
复制标题
亚微米 MOSFET 和量子点中的 RTS
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Toita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Sikula;J.Pavelka;V.Sedlakova;M.Tacano;S.Hashiguchi;M.Toita
来自单个 INGAAS 量子点的温控 RTS 噪声
DOI：
10.1142/9789812811165_0081
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Awano;M. Shima;Y. Sakuma;Y. Sugiyama;N. Yokoyama;M. Tacano
通讯作者：
M. Tacano
电子设备中的量子 1/f 噪声和其他低频波动。
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Friedt;O. Teytaud;D. Gillet;M. Planat
通讯作者：
M. Planat