Conditions for Parametric and Free-Carrier Oscillation in Silicon Ring Cavities
Conditions for Parametric and Free-Carrier Oscillation in Silicon Ring Cavities
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硅环腔中参量和自由载流子振荡的条件
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
4.7
通讯作者：
K. Jamshidi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Hamerly;D. Gray;C. Rogers;K. Jamshidi
我们模拟了具有双光子吸收的环形腔中的光学参量振荡，聚焦在1.55<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">μ</tex-math></inline-formula> m的硅上。振荡是可能的，如果自由载流子吸收可以减轻;这可以通过在反向偏置的p-i-n结中使用载流子清除来减少载流子寿命来实现。通过改变泵浦功率、失谐量和反向偏置电压，可以在包括1.55<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">μ</tex-math></inline-formula> m的宽波长范围内产生具有正常色散和异常色散的腔中的频率梳。此外，当载流子寿命足够长时，自由载流子自脉冲不稳定性导致丰富的动力学。
We model optical parametric oscillation in ring cavities with two-photon absorption, focusing on silicon at 1.55 <inline-formula><tex-math notation="LaTeX">$mu$</tex-math></inline-formula>m. Oscillation is possible if free-carrier absorption can be mitigated; this can be achieved using carrier sweep-out in a reverse-biased p-i-n junction to reduce the carrier lifetime. By varying the pump power, detuning, and reverse-bias voltage, it is possible to generate frequency combs in cavities with both normal and anomalous dispersion at a wide range of wavelengths including 1.55 <inline-formula><tex-math notation="LaTeX">$mu$</tex-math></inline-formula>m. Furthermore, a free-carrier self-pulsing instability leads to rich dynamics when the carrier lifetime is sufficiently long.
影响因子：
35
作者：
通讯作者：
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影响因子：
3.8
作者：
A. Gajda;L. Zimmermann;J. Bruns;B. Tillack;K. Petermann
通讯作者：
K. Petermann