Graphene in ohmic contact for both n-GaN and p-GaN
Graphene in ohmic contact for both n-GaN and p-GaN
复制标题
n-GaN 和 p-GaN 的欧姆接触石墨烯
DOI：
10.1063/1.4880732
复制
发表时间：
2014-05
影响因子：
4
通讯作者：
Xu, Ke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang, Zengli;Wang, Jianfeng;Ren, Guoqiang;Xu, Ke
The wrinkles of single layer graphene contacted with either n-GaN or p-GaN were found both forming ohmic contacts investigated by conductive atomic force microscopy. The local I–V results show that some of the graphene wrinkles act as high-conductive chan
登录
查看更多内容
影响因子：
3.7
作者：
T. Stauber;N. Peres;F. Guinea
通讯作者：
T. Stauber;N. Peres;F. Guinea
影响因子：
10.8
作者：
Wang, Xuan;Zhi, Linjie;Muellen, Klaus
通讯作者：
Muellen, Klaus
具有石墨烯电流扩散层的有序ZnO纳米棒基异质结发光二极管
影响因子：
4
作者：
Zhang, S. G.;Zhang, X. W.;Si, F. T.;Dong, J. J.;Wang, J. X.;Liu, X.;Yin, Z. G.;Gao, H. L.
通讯作者：
Gao, H. L.
影响因子：
10.8
作者：
Z. Zhong;Fang Qian;Deli Wang;Charles M. Lieber
通讯作者：
Z. Zhong;Fang Qian;Deli Wang;Charles M. Lieber
影响因子：
3.2
作者：
B. Han;B. Wessels;M. Ulmer
通讯作者：
B. Han;B. Wessels;M. Ulmer