Unsaturated linear magnetoresistance effect in high-quality free-standing InSb single-crystal nanosheets
Unsaturated linear magnetoresistance effect in high-quality free-standing InSb single-crystal nanosheets
复制标题
高质量独立InSb单晶纳米片中的不饱和线性磁阻效应
DOI：
10.1088/1361-6463/ab6f8e
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发表时间：
2020-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wei Dahai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tong Shucheng;Pan Dong;Wang Xiaolei;Yu Zhifeng;Xu Yaohan;Wei Dahai
Narrow band gap semiconductor InSb has attracted tremendous attention due to the high electron mobility, small electron effective mass, and large Landé g-factor, which makes InSb gain potential exploitation in novel electronic and spintronic devices. In a
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影响因子：
3
作者：
G. Yuan;J. Liu;Xiangyu Zhang;Z. Liu
通讯作者：
G. Yuan;J. Liu;Xiangyu Zhang;Z. Liu
影响因子：
1.9
作者：
David Hayes;C. Allford;George Smith;C. McIndo;Laura A. Hanks;A. Gilbertson;L. F. Cohen;Shiyong Zhang;Edmund Clarke;P. Buckle
通讯作者：
David Hayes;C. Allford;George Smith;C. McIndo;Laura A. Hanks;A. Gilbertson;L. F. Cohen;Shiyong Zhang;Edmund Clarke;P. Buckle
影响因子：
3.7
作者：
Navneeth Ramakrishnan;Y. Lai;S. Lara;M. Parish;S. Adam
通讯作者：
Navneeth Ramakrishnan;Y. Lai;S. Lara;M. Parish;S. Adam
影响因子：
64.8
作者：
Husmann, A;Betts, JB;Saboungi, ML
通讯作者：
Saboungi, ML
影响因子：
3.7
作者：
Zolt'an Scherubl;G. Fulop;M. Madsen;J. Nygrard;S. Csonka
通讯作者：
Zolt'an Scherubl;G. Fulop;M. Madsen;J. Nygrard;S. Csonka