Radiation hardness studies of AMS HV-CMOS 350 nm prototype chip HVStripV1
Radiation hardness studies of AMS HV-CMOS 350 nm prototype chip HVStripV1
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AMS HV-CMOS 350 nm 原型芯片 HVStripV1 的辐射硬度研究
DOI:
10.1088/1748-0221/12/02/p02010
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发表时间:
2017
影响因子:
1.3
通讯作者:
Kanisauskas K
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Kanisauskas K
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DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
C. G. Argos
通讯作者:
C. G. Argos
DOI:
10.1016/j.nima.2016.05.092
发表时间:
2016-09
影响因子:
1.4
作者:
V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
通讯作者:
V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
W. Snoeys
通讯作者:
W. Snoeys
DOI:
--
发表时间:
1972
期刊:
The international journal of applied radiation and isotopes
影响因子:
--
作者:
J. Mantel
通讯作者:
J. Mantel
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
P. Delpierre
通讯作者:
P. Delpierre