Radiation hardness studies of AMS HV-CMOS 350 nm prototype chip HVStripV1

Radiation hardness studies of AMS HV-CMOS 350 nm prototype chip HVStripV1
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AMS HV-CMOS 350 nm 原型芯片 HVStripV1 的辐射硬度研究

DOI:
10.1088/1748-0221/12/02/p02010
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发表时间:
2017
影响因子:
1.3
通讯作者:
Kanisauskas K
Kanisauskas K
中科院分区:
工程技术4区
文献类型:
--
作者:
Kanisauskas K

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发表时间: 2017
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C. G. Argos
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V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
通讯作者: V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
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