Growth of High-Quality A1N with Low Pit Density on SiC Substrates
Growth of High-Quality A1N with Low Pit Density on SiC Substrates
复制标题
在 SiC 衬底上生长低凹坑密度的高质量 A1N
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Yonezu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A.Nakajima;Y.Furukawa;S.Koga;H.Yonezu
登录
查看更多内容
使用等离子体辅助分子束外延控制 6H-SiC (0 0 0 1) 上生长的 GaN 表面形貌
影响因子：
1.8
作者：
K. Jeganathan;M. Shimuzu;T. Ide;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura
通过等离子体辅助和反应分子束外延在 SiC(0001) 上生长高质量 (Al,Ga)N 和 (Ga,In)N 异质结构
影响因子：
1.4
作者：
K. Ploog;O. Brandt;R. Muralidharan;A. Thamm;P. Waltereit
通讯作者：
P. Waltereit
SiC多型体HRTEM图像明暗对比度的特点
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
U. Kaiser;A. Chuvilin;W. Richter
通讯作者：
W. Richter
6H-SiC (0001) 的表面蚀刻和随后通过 MOCVD 生长的 GaN 的表面形貌
影响因子：
2.1
作者：
Z. Xie;C. Wei;S. F. Chen;S. Jiang;J. Edgar
通讯作者：
J. Edgar
氢蚀刻 6H-SiC(0001) 衬底和随后生长的 AlN 薄膜的表征
DOI：
10.1116/1.1539080
发表时间：
2003
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
J. Hartman;A. Roskowski;Z. Reitmeier;Tracy Kieran Mark;R. Davis;R. Nemanich
通讯作者：
R. Nemanich