Magneto-optical non-reciprocal devices in silicon photonics.
Magneto-optical non-reciprocal devices in silicon photonics.
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DOI：
10.1088/1468-6996/15/1/014602
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发表时间：
2014-02
影响因子：
5.5
通讯作者：
Mizumoto T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shoji Y;Mizumoto T
综述了基于磁光效应的硅光波导非互易器件。一阶磁光效应引起的非互易相移是实现硅波导平台中光学非互易器件的有效方法。在绝缘体上硅波导中，掩埋氧化层的低折射率增强了磁光相移，从而减少了器件的占地面积。发展了一种表面激活直接键合技术，将磁光石榴石晶体集成到硅波导上。研制了一种基于磁光相移的硅光导光隔离器，在1548 nm波长下，光隔离度为30dB，插入损耗为13db。在此基础上，设计了一种四端口光环行器，在波长为1531 nm时，交叉端口和条形端口的最大隔离度分别为15.3和9.3分贝。
Silicon waveguide optical non-reciprocal devices based on the magneto-optical effect are reviewed. The non-reciprocal phase shift caused by the first-order magneto-optical effect is effective in realizing optical non-reciprocal devices in silicon waveguide platforms. In a silicon-on-insulator waveguide, the low refractive index of the buried oxide layer enhances the magneto-optical phase shift, which reduces the device footprints. A surface activated direct bonding technique was developed to integrate a magneto-optical garnet crystal on the silicon waveguides. A silicon waveguide optical isolator based on the magneto-optical phase shift was demonstrated with an optical isolation of 30 dB and insertion loss of 13 dB at a wavelength of 1548 nm. Furthermore, a four port optical circulator was demonstrated with maximum isolations of 15.3 and 9.3 dB in cross and bar ports, respectively, at a wavelength of 1531 nm.
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DOI：
10.3390/ma5050985
发表时间：
2012-05-24
期刊：
Materials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Mizumoto T;Shoji Y;Takei R
通讯作者：
Takei R
DOI：
10.1109/2944.401232
发表时间：
1995-06-01
影响因子：
4.9
作者：
PETERMANN, K
通讯作者：
PETERMANN, K
影响因子：
3.8
作者：
Ghosh, S.;Keyvavinia, S.;Baets, R.
通讯作者：
Baets, R.
影响因子：
2.4
作者：
AURACHER, F;WITTE, HH
通讯作者：
WITTE, HH
影响因子：
4.7
作者：
OKAMURA, Y;INUZUKA, H;YAMAMOTO, S
通讯作者：
YAMAMOTO, S