Barrier height control for electron field emission by growing an ultra-thin AlN layer on GaN/Mo
Barrier height control for electron field emission by growing an ultra-thin AlN layer on GaN/Mo
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通过在 GaN/Mo 上生长超薄 AlN 层来控制电子场发射的势垒高度
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Asahi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Nishida;T.Yamashita;S.Hasegawa;H.Asahi
Mo 衬底上生长的多晶 GaN 的场致发射
影响因子：
1.5
作者：
H. Tampo;T. Yamanaka;Kohichiro Yamada;Kuniyuki Ohnishi;M. Hashimoto;H. Asahi
通讯作者：
H. Asahi