Superior Mobility Characteristics in (110)-Oriented Ultra Thin Body pMOSFETs with SOI Thickness less than 6nm
Superior Mobility Characteristics in (110)-Oriented Ultra Thin Body pMOSFETs with SOI Thickness less than 6nm
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SOI 厚度小于 6nm 的 (110) 取向超薄体 pMOSFET 具有卓越的迁移特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gen Tsutsui;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
影响因子：
4.9
作者：
CHAN, MS;ASSADERAGHI, F;KO, PK
通讯作者：
KO, PK