Improvement of remanent polarization of CeO2–HfO2 solid solution thin films on Si substrates by chemical solution deposition
Improvement of remanent polarization of CeO2–HfO2 solid solution thin films on Si substrates by chemical solution deposition
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化学溶液沉积提高硅基上CeO2·HfO2固溶体薄膜的剩余极化率
DOI：
10.1063/5.0028200
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发表时间：
2020-11
影响因子：
4
通讯作者：
Yichun Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shuaizhi Zheng;Zidong Zhao;Zhaotong Liu;Binjian Zeng;Lu Yin;Qiangxiang Peng;Min Liao;Yichun Zhou
采用化学溶液沉积法在n+-Si（100）衬底上制备了CeO 2-HfO 2固溶体薄膜Hf 1 − xCexO 2。研究了CeO 2含量和退火温度对Hf 1 − xCexO 2结构和铁电性能的影响。
CeO2–HfO2 solid solution thin films, Hf1−xCexO2, are fabricated on n+-Si(100) substrates by the chemical solution deposition method. The effects of the CeO2 content and annealing temperature on the structure and ferroelectric properties of Hf1−xCexO2 are
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金属有机分解制备的 Sr 掺杂 HfO2 薄膜的晶体结构和铁电性调控
影响因子：
5.2
作者：
Tang Lin;Chen Chao;Wei Anqi;Li Kun;Zhang Dou;Zhou Kechao
通讯作者：
Zhou Kechao
DOI：
10.1021/acsanm.7b00124
发表时间：
2017-10
期刊：
arXiv: Materials Science
影响因子：
--
作者：
C. Kunneth;Robin Materlik;M. Falkowski;A. Kersch
通讯作者：
C. Kunneth;Robin Materlik;M. Falkowski;A. Kersch
影响因子：
3.7
作者：
Lee, Choong-Ki;Cho, Eunae;Han, Seungwu
通讯作者：
Han, Seungwu
影响因子：
1.5
作者：
Shuhei Nakayama;H. Funakubo;H. Uchida
通讯作者：
Shuhei Nakayama;H. Funakubo;H. Uchida
影响因子：
2.2
作者：
Starschich, Sergej;Griesche, David;Boettger, Ulrich
通讯作者：
Boettger, Ulrich