Strain engineering of the electroabsorption response in Ge/SiGe multiple quantum well heterostructures
Strain engineering of the electroabsorption response in Ge/SiGe multiple quantum well heterostructures
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Ge/SiGe 多量子阱异质结构电吸收响应的应变工程
DOI：
10.1109/group4.2011.6053731
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lever L
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lever L
影响因子：
4
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.