Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts: Spin injection and transport in Si MOS channels
Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts: Spin injection and transport in Si MOS channels
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具有铁磁 MnAs 源极和漏极触点的 MOSFET 中的磁阻：Si MOS 通道中的自旋注入和传输
DOI：
10.1109/drc.2008.4800815
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Nakane;T. Harada;K. Sugiura;S. Sugahara;M. Tanaka
仅提供摘要形式。最近提出的自旋金属氧化物半导体场效应晶体管（自旋MOSFET）有望成为推动集成电路技术超越CMOS规模的关键器件。对于自旋MOSFET与CMOS平台的集成，非常需要实验演示和对输出特性的批判性理解。本文研究了具有铁磁MnAs源/漏接触的MOSFET的磁电阻和自旋输运特性。
Summary form only given. Recently-proposed spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (spin MOSFETs) are expected to be key devices for advancing the integrated circuit technology beyond the CMOS scaling. Towards the integration of spin MOSFETs with a CMOS platform, experimental demonstration and critical understanding of output characteristics are strongly needed. In this paper, we present the magnetoresistance and spin transport in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source/drain (S/D) contacts.
具有外延铁磁 MnAs/Si (0 0 1) 源极和漏极的肖特基势垒 MOSFET：生长后退火和传输特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Journal of Crystal Growth 301-302
影响因子：
--
作者：
Ryosho Nakane;Kuniaki Sugiura
通讯作者：
Kuniaki Sugiura
具有铁磁半导体通道的自旋金属氧化物半导体场效应晶体管（自旋 MOSFET）
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J.Appl.Phys. 97
影响因子：
--
作者：
S.Sugahara;M.Tanaka
通讯作者：
M.Tanaka