Schottky barrier MOSFETs with epitaxial ferromagnetic MnAs/Si (0 0 1) source and drain : Post-growth annealing and transport characteristics
Schottky barrier MOSFETs with epitaxial ferromagnetic MnAs/Si (0 0 1) source and drain : Post-growth annealing and transport characteristics
复制标题
具有外延铁磁 MnAs/Si (0 0 1) 源极和漏极的肖特基势垒 MOSFET：生长后退火和传输特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kuniaki Sugiura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ryosho Nakane;Kuniaki Sugiura
登录
查看更多内容
在精确 GaAs(1 1 1)B 衬底上生长的外延 MnAs/NiAs/MnAs 异质结构的生长和磁性能
影响因子：
1.8
作者：
R. Nakane;J. Kondo;M. Yuan;S. Sugahara;Masaaki Tanaka
通讯作者：
Masaaki Tanaka
MnAs 薄膜在预吸附的 Si(001) 表面优先生长的证据
DOI：
10.1016/s0169-4332(98)00038-5
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Nakamura;Masaki Shuzo;K. Ono;H. Fujioka;Masaaki Tanaka;T. Nishinaga;Y. Watanabe;M. Oshima
通讯作者：
M. Oshima
Si(100)上分子束外延生长GaAs的初始阶段和畴结构
DOI：
10.1143/jjap.26.l114
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Kawabe;T. Ueda;H. Takasugi
通讯作者：
H. Takasugi
影响因子：
4
作者：
Sugahara, S;Tanaka, M
通讯作者：
Tanaka, M
在 Si (001) 上生长的外延铁磁 MnAs 薄膜：衬底退火的影响
影响因子：
3.2
作者：
K. Akeura;Masaaki Tanaka;T. Nishinaga;J. Boeck
通讯作者：
J. Boeck