A Wideband SICL-to-Waveguide Transition for Multilayer Planar Circuit Applications at V-Band
A Wideband SICL-to-Waveguide Transition for Multilayer Planar Circuit Applications at V-Band
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V 波段多层平面电路应用的宽带 SICL 到波导过渡
DOI：
10.1109/lmwc.2022.3167742
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发表时间：
2022-09
影响因子：
3
通讯作者：
Guo Qing Luo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qingquan Tan;Kuikui Fan;Fang Zhu;Xiwang Dai;Yahui Qian;Guo Qing Luo
提出了一种V波段基片集成同轴线（SICL）到矩形波导（RWG）的过渡结构.在设计中，采用了折叠振子结构，使结构更加紧凑，在工作频带内实现了更好的阻抗匹配。与其他基于单层衬底的过渡结构相比，该设计更适合于混合多层电路。为了验证，采用标准多层印刷电路板工艺制作了背靠背过渡原型，并进行了测量。测量结果表明，该过渡具有宽的-10-dB阻抗带宽为40%（从50到75 GHz），插入损耗低于4 dB的工作带宽。由于紧凑的尺寸和宽的工作带宽，所提出的过渡是有价值的先进的毫米波（mmW）电路系统。
A $V$ -band substrate integrated coaxial line (SICL) to rectangular waveguide (RWG) transition is proposed in this letter. In this design, a folded dipole is used to achieve a more compact structure and better impedance matching in the operating band. Compared with other transitions based on single-layer substrates, this design is more suitable for mixed multilayer circuits. For verification, a back-to-back transition prototype is fabricated by standard multilayer printed circuit boards processing and measured. The measured results show that the proposed transition has a wide −10-dB impedance bandwidth of 40% (from 50 to 75 GHz), and an insertion loss of lower than 4 dB over the operating bandwidth. Owing to compact size and wide operating bandwidth, the proposed transition is valuable to advanced millimeter-wave (mmW) circuit systems.
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影响因子：
3
作者：
Eric S. Li;Gui-Xiang Tong;Dow Chih Niu
通讯作者：
Eric S. Li;Gui-Xiang Tong;Dow Chih Niu
影响因子：
3
作者：
Zhengbin Xu;Jie Xu;C. Qian
通讯作者：
Zhengbin Xu;Jie Xu;C. Qian
影响因子：
3
作者：
A. Zaman;V. Vassilev;P. Kildal;H. Zirath
通讯作者：
A. Zaman;V. Vassilev;P. Kildal;H. Zirath
DOI：
10.1109/tcpmt.2013.2244644
发表时间：
2013-02
期刊：
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
影响因子：
--
作者：
R. Fang;Chun-Long Wang
通讯作者：
R. Fang;Chun-Long Wang
DOI：
--
发表时间：
2014-11
期刊：
2014 Asia-Pacific Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
Mei Jiang;W. Hong;Yan Zhang;Hao Zhou
通讯作者：
Mei Jiang;W. Hong;Yan Zhang;Hao Zhou