Metallization of (TTM-TTP)I_3 with a Highly One-Dimensional Half-Filled Band under Extremely High Pressure

Metallization of (TTM-TTP)I_3 with a Highly One-Dimensional Half-Filled Band under Extremely High Pressure
复制标题

极高压下高度一维半填充能带的 (TTM-TTP)I_3 金属化

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
J. Phys. Soc. Jpn 75・5
影响因子:
--
通讯作者:
Y.Uwatoko
Y.Uwatoko
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S.Yasuzuka;K.Murata;T.Fujimoto;M.Shimotori;T.Kawamoto;T.Mori;M.Hedo;Y.Uwatoko

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

一维半满带系统中的电荷排序,(TTM-TTP)I3}
DOI: 10.1016/s0379-6779(00)01069-9
发表时间: 2001
期刊: Synthetic Metals
影响因子: 4.4
作者:
M. Onuki;K. Hiraki;T. Takahashi;D. Jinno;T. Kawamoto;Takeharu Mori;T. Takano;Y. Misaki
通讯作者: Y. Misaki
DOI: 10.1007/s100510050150
发表时间: 1998
期刊: The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems
影响因子: --
作者:
Joel Moser;M. Gabay;P. Auban-Senzier;Denis Jérome;K. Bechgaard;J. Fabre
通讯作者: Joel Moser;M. Gabay;P. Auban-Senzier;Denis Jérome;K. Bechgaard;J. Fabre
有机超导的一些基本问题
DOI: --
发表时间: 1983
期刊:
影响因子: --
作者:
V. J. Emery
通讯作者: V. J. Emery
DOI: --
发表时间: 2003
期刊: Synthetic Metals 135-136
影响因子: --
作者:
Y. Nogami. T. Kambe;N. Fujimura;K. Oshima;et al.
通讯作者: et al.
具有一维半填充能带的新型有机导体(TTM-TTP)I3的电子态
DOI: 10.1016/s0022-3697(00)00176-1
发表时间: 2001
影响因子: 4
作者:
M. Onuki;K. Hiraki;Toshihiro Takahashi;D. Jinno;T. Kawamoto;Takashi Mori;Tanaka Keiji;Y. Misaki
通讯作者: Y. Misaki