Asymmetric ground state spin configuration of transverse domain wall on symmetrically notched ferromagnetic nanowires
Asymmetric ground state spin configuration of transverse domain wall on symmetrically notched ferromagnetic nanowires
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对称切口铁磁纳米线上横向畴壁的不对称基态自旋构型
DOI：
10.1063/1.3459965
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
S. Choe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Djuhana;H. Piao;Sang;Dong;Sung;S. Choe
我们报告说，一个基态自旋配置的铁磁纳米线缺口周围可以有对称或不对称的横向畴壁结构取决于缺口的几何形状通过微磁学模拟与缺口纵横比的系统变化。非对称的偏心畴壁结构在一定的缺口纵横比范围内变得稳定。
We report that a ground state spin configuration around a notch of ferromagnetic nanowires can have either symmetric or asymmetric transverse domain wall structure depending on the notch geometry by means of micromagnetic simulation with a systematic variation in the notch aspect ratio. An asymmetric off-centered domain wall configuration becomes stable for a certain range of the notch aspect ratio.
影响因子：
4
作者：
McGrouther, D.;McVitie, S.;Gentils, A.
通讯作者：
Gentils, A.
影响因子：
4
作者：
Atkinson, D.;Eastwood, D. S.;Bogart, L. K.
通讯作者：
Bogart, L. K.