Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal
Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal
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氧原子对硅晶体位错倍增的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Kakimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Fukushima;B. Gao;S. Nakano;H. Harada;Y. Miyamura;and K. Kakimoto
直拉生长硅中的位错-氧相互作用：低温下的氧扩散和结合
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Senkader;A. Giannattasio;R. Falster;P. Wilshaw
通讯作者：
P. Wilshaw