Spin Logical and Memory Device Based on the Nonvolatile Ferroelectric Control of the Perpendicular Magnetic Anisotropy in PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt Heterostructure
Spin Logical and Memory Device Based on the Nonvolatile Ferroelectric Control of the Perpendicular Magnetic Anisotropy in PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt Heterostructure
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基于PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt异质结构垂直磁各向异性非易失性铁电控制的自旋逻辑和存储器件
DOI：
10.1002/aelm.202000102
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发表时间：
2020-04
影响因子：
6.2
通讯作者：
Jiang Yong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ren Zengyao;Wang Mengxi;Liu Pengfei;Liu Qi;Wang Kaiyou;Jakob Gehard;Chen Jikun;Meng Kangkang;Xu Xiaoguang;Miao Jun;Jiang Yong
在存储器和自旋逻辑器件领域，多铁材料具有低能信息操作的潜力。一种基于PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt （PZT/Co/Pt）多铁质异质结构的新型存储和逻辑器件
In the field of memory and spin‐logical devices, multiferroics have the potentials of low‐energy informational operation. A novel memory and logic device in a PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt (PZT/Co/Pt) multiferroic heterostructure with perpendicular magnetic anisot
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