Can we realize high-current-gain transistors using III-N/SiC heterovalent heterojunctions?
Can we realize high-current-gain transistors using III-N/SiC heterovalent heterojunctions?
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我们能否利用III-N/SiC异价异质结实现高电流增益晶体管？
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Miyake;T. Kimoto;J. Suda
SiC 衬底上的高压累积模式横向 RESURF GaN MOSFET
DOI：
10.1109/ispsd.2003.1225229
发表时间：
2003
期刊：
ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2003. Proceedings.
影响因子：
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作者：
K. Matocha;T. P. Chow;R. Gutmann
通讯作者：
R. Gutmann