Gate Modulation of Graphene-ZnO Nanowire Schottky Diode.
Gate Modulation of Graphene-ZnO Nanowire Schottky Diode.
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石墨烯-ZnO纳米线肖特基二极管的栅极调制
DOI：
10.1038/srep10125
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发表时间：
2015-05-06
影响因子：
4.6
通讯作者：
Liao ZM
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu R;You XC;Fu XW;Lin F;Meng J;Yu DP;Liao ZM
石墨烯-半导体界面在电子和光电子器件中具有重要的应用。在这里，我们报告的调制石墨烯/ZnO纳米线肖特基二极管的电输运性质的栅极电压（Vg）。石墨烯/ZnO纳米线肖特基二极管的理想因子为~1.7，肖特基势垒高度为~0.28 eV，无需外部Vg。由于石墨烯费米能级的变化，肖特基势垒高度对Vg敏感。势垒高度随Vg向负值移动而迅速增加，随Vg向正值移动而缓慢减小。我们的研究结果有助于理解石墨烯-半导体肖特基二极管中电输运的基本机制。
Graphene-semiconductor interface is important for the applications in electronic and optoelectronic devices. Here we report the modulation of the electric transport properties of graphene/ZnO nanowire Schottky diode by gate voltage (Vg). The ideality factor of the graphene/ZnO nanowire Schottky diode is ~1.7 and the Schottky barrier height is ~0.28 eV without external Vg. The Schottky barrier height is sensitive to Vgdue to the variation of Fermi level of graphene. The barrier height increases quickly with sweeping Vgtowards the negative value, while decreases slowly towards the positive Vg. Our results are helpful to understand the fundamental mechanism of the electric transport in graphene-semiconductor Schottky diode.
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