Bounds and Code Constructions for Partially Defect Memory Cells
Bounds and Code Constructions for Partially Defect Memory Cells
复制标题
部分有缺陷的存储单元的界限和代码构造
DOI：
10.1109/acct51235.2020.9383410
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Antonia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Haider Al Kim;Sven Puchinger;Wachter-Zeh;Antonia
部分卡住的存储单元的代码
影响因子：
2.5
作者：
A. Wachter;Eitan Yaakobi
通讯作者：
Eitan Yaakobi
部分卡住的存储单元的纠错
DOI：
10.1109/redundancy48165.2019.9003352
发表时间：
2019
期刊：
2019 XVI International Symposium "Problems of Redundancy in Information and Control Systems" (REDUNDANCY)
影响因子：
--
作者：
Haider Al Kim;S. Puchinger;A. Wachter
通讯作者：
A. Wachter