LiB6Si: An indirect band gap semiconductor
LiB6Si: An indirect band gap semiconductor
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LiB6Si：一种间接带隙半导体
DOI：
10.1016/j.physleta.2019.125862
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发表时间：
2019-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yu Dongli
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan Zhikang;Yu Dongli
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影响因子：
1.5
作者：
K. Kudou;S. Okada;T. Mori;K. Iizumi;T. Shishido;Takaho Tanaka;I. Higashi;K. Nakajima;P. Rogl;Y. Andersson;T. Lundström
通讯作者：
K. Kudou;S. Okada;T. Mori;K. Iizumi;T. Shishido;Takaho Tanaka;I. Higashi;K. Nakajima;P. Rogl;Y. Andersson;T. Lundström
DOI：
10.1039/c4cp03328k
发表时间：
2014-11
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
L. Wan;S. Beckman
通讯作者：
L. Wan;S. Beckman
影响因子：
1.9
作者：
M. Gesley;L. Swanson
通讯作者：
M. Gesley;L. Swanson
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
4
作者：
H. Morito;Bernhard Eck;R. Dronskowski;H. Yamane
通讯作者：
H. Morito;Bernhard Eck;R. Dronskowski;H. Yamane