Scaling of sub-ballistic 1D Random Walks among biased Random Conductances
Scaling of sub-ballistic 1D Random Walks among biased Random Conductances
复制标题
偏置随机电导中亚弹道一维随机游走的缩放
DOI：
10.1214/22-aap1915
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Salvi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Q. Berger;M. Salvi
我们考虑两个模型的一维随机游动之间有偏独立同分布。随机电导：第一个是电导的经典指数倾斜，而第二个来自于将外场添加到点过程上的随机游走的效应（偏置取决于点之间的距离）。我们研究的情况下，步行是短暂的权利，但亚弹道，并确定正确的缩放的随机行走：我们找到$\alpha \在[0，1]$，使$\log X_n / \log n \到\alpha$。有趣的是，在第一种情况下，$\alpha$不依赖于偏差的强度，但在第二种情况下，它依赖于偏差的强度。
We consider two models of one-dimensional random walks among biased i.i.d. random conductances: the first is the classical exponential tilt of the conductances, while the second comes from the effect of adding an external field to a random walk on a point process (the bias depending on the distance between points). We study the case when the walk is transient to the right but sub-ballistic, and identify the correct scaling of the random walk: we find $\alpha \in[0,1]$ such that $\log X_n / \log n \to \alpha$. Interestingly, $\alpha$ does not depend on the intensity of the bias in the first case, but it does in the second case.
超临界渗流簇上偏置随机游走速度的相变
影响因子：
3
作者：
Fribergh A
通讯作者：
Fribergh A