Resistance hysteresis in the integer and fractional quantum Hall regime
Resistance hysteresis in the integer and fractional quantum Hall regime
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整数和分数量子霍尔体系中的电阻滞后
DOI：
10.1103/physrevb.107.205307
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发表时间：
2023
影响因子：
3.7
通讯作者：
Peraticos E
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peraticos E
我们给出了在高迁移率的二维电子系统中观察到随磁场扫描方向变化的实验结果。我们根据屏蔽理论对结果进行了分析，结果表明，观察到的反常效应源于直接库仑相互作用导致的类金属和类绝缘体区域的非平衡过程，以及霍尔棒的耗散性质和散射影响的接触。此外，还给出了整数填充因子2和4以及纵向阻力处某些分数状态下的滞回行为。我们认为，这种不平衡不仅是由于接触造成的，而且是由于有限尺寸耗散霍尔棒在相互作用和朗道量子化下的性质所致。
We present experimental results where hysteresis is observed depending on the magnetic field sweep direction in the integer quantum Hall regime of a high-mobility two-dimensional electron system formed in a GaAs/AlGaAs heterostructure. We analyze the results based on the screening theory and show that the anomalous effects observed stem from the nonequilibrium processes resulting from the formation of metal-like and insulator-like regions due to direct Coulomb interactions and the dissipative nature of the Hall bar together with the scattering-influenced contacts. Furthermore, the hysteretic behavior is shown for the integer filling factors, 2, and 4 and for certain fractional states at the longitudinal resistance. We argue that the nonequilibration is not only due to contacts, in contrast, but also due to the nature of the finite size dissipative Hall bar under interactions and Landau quantization.
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影响因子：
3.7
作者：
E. Peraticos;Sanjeev Kumar;M. Pepper;A. Siddiki;I. Farrer;D. Ritchie;G. Jones;J. Griffiths
通讯作者：
E. Peraticos;Sanjeev Kumar;M. Pepper;A. Siddiki;I. Farrer;D. Ritchie;G. Jones;J. Griffiths
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作者：
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通讯作者：
Gerhardts, RR
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DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
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K. Moon