Growth of InxGa1−xAs on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
Growth of InxGa1−xAs on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
复制标题
通过分子束外延在 GaAs (001) 上生长 InxGa1−xAs
DOI：
10.1016/0022-0248(89)90318-7
复制
发表时间：
1989
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. H. Williams
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Westwood;D. Woolf;R. H. Williams
In_yGa_<1-y>As_<1-x>Bi_x/GaAs多量子阱的分子束外延生长
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
Yoriko Tominaga;Kazuya Yamada;Kunishige Oe;Masahiro Yoshimoto
通讯作者：
Masahiro Yoshimoto