Molecular beam epitaxial growth of In_yGa_<1-y>As_<1-x>Bi_x/GaAs multiquantum wells
Molecular beam epitaxial growth of In_yGa_<1-y>As_<1-x>Bi_x/GaAs multiquantum wells
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In_yGa_<1-y>As_<1-x>Bi_x/GaAs多量子阱的分子束外延生长
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masahiro Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoriko Tominaga;Kazuya Yamada;Kunishige Oe;Masahiro Yoshimoto
金属有机化学气相沉积法在硅衬底上制备 AlGaAs 异质结可见光（700 nm）发光二极管
影响因子：
4
作者：
A. Hashimoto;Y. Kawarada;T. Kamijoh;M. Akiyama;N. Watanabe;M. Sakuta
通讯作者：
M. Sakuta
MOVPE InGaAs/InP 直接生长在 GaAs 衬底上
影响因子：
1.1
作者：
A. Dentai;C. Joyner;B. Tell;J. Zyskind;J. Sulhoff;J. F. Ferguson;J. Centanni;S. Chu;C. L. Cheng
通讯作者：
C. L. Cheng
Si 衬底上四分之一微米 GaAs 金属半导体场效应晶体管的性能
影响因子：
4
作者：
M. I. Aksun;H. Morkoç;L. Lester;K. Duh;P. Smith;P. Chao;M. Longerbone;L. Erickson
通讯作者：
L. Erickson