Buried triple-gate structures for advanced field-effect transistor devices
Buried triple-gate structures for advanced field-effect transistor devices
复制标题
用于先进场效应晶体管器件的埋置三栅结构
DOI：
10.1016/j.mee.2014.02.001
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发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
J. Knoch
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.R. Müller;A. Gumprich;F. Schütte;K. Kallis;U. Künzelmann;S. Engels;C. Stampfer;N. Wilck;J. Knoch
影响因子：
4
作者：
Blake, P.;Hill, E. W.;Geim, A. K.
通讯作者：
Geim, A. K.
影响因子：
38.3
作者：
Dean, C. R.;Young, A. F.;Hone, J.
通讯作者：
Hone, J.
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影响因子：
1.9
作者：
C. Kontis;M.R. Müller;C. Küchenmeister;K.T. Kallis;J. Knoch
通讯作者：
J. Knoch