Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional-device simulation
Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional-device simulation
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通过三维器件模拟确认绝缘体上硅 (SOI)/埋氧层 (BOX) 界面陷阱的电特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakajima
通过 SOI MOSFET 中的背栅跨导特性表征绝缘体上硅 (SOI)/埋氧化物 (BOX) 接口处的陷阱状态
影响因子：
1.5
作者：
Y. Nakajima;H. Tomita;K. Aoto;Nobuhiro Ito;T. Hanajiri;T. Toyabe;T. Morikawa;T. Sugano
通讯作者：
T. Sugano