Time evolution of off-state degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Time evolution of off-state degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管断态退化的时间演化
DOI：
10.1063/1.4881637
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Bajo M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bajo M
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T 栅 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Burnham;R. Bowen;P. Willadsen;H. Bracamontes;P. Hashimoto;Ming Hu;D. Wong;Mary Y. Chen;M. Micovic
通讯作者：
M. Micovic
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管退化机制的光学研究：非辐射复合中心的生成
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Hodges;N. Killat;S. Kaun;M. Wong;F. Gao;T. Palacios;U. Mishra;J. Speck;D. Wolverson;M. Kuball
通讯作者：
M. Kuball
影响因子：
4
作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
DOI：
10.1109/tdmr.2012.2221464
发表时间：
2013-03-01
影响因子：
2
作者：
Cullen, David A.;Smith, David J.;Zanoni, Enrico
通讯作者：
Zanoni, Enrico
影响因子：
4
作者：
Makaram, Prashanth;Joh, Jungwoo;Thompson, Carl V.
通讯作者：
Thompson, Carl V.