Interaction of H with stacking fault in W(111) film: A possible formation mechanism of H bubbles
Interaction of H with stacking fault in W(111) film: A possible formation mechanism of H bubbles
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H 与 W(111) 薄膜中堆垛层错的相互作用：H 气泡的可能形成机制
DOI：
10.1039/c3ra45099f
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发表时间：
2014-01
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Pan, B. C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ding, W. Y.;He, H. Y.;Pan, B. C.
基于第一性原理密度泛函理论计算，对 W(111) 表面堆垛层错附近 H 原子的行为进行了广泛研究。我们发现堆垛层错附近的H可以被捕获并捕获在该缺陷中。这些被捕获的氢原子显着削弱甚至破坏了堆垛层错中的W-W键，从而导致更多的氢原子在堆垛层错中积累。我们的计算预测堆垛层错对 H 的容纳能力将大于 3.4 × 1015 cm−2，这与实验观察到的 W 基聚变反应堆材料中 H 起泡一致。
The behavior of H atoms near a stacking fault in W(111) surface is extensively studied based on first-principles density functional theory calculations. We find that H near the stacking fault can be captured and trapped in this defect. These trapped H atoms significantly weaken and even break the W–W bonds in the stacking fault, inducing accumulation of more hydrogen atoms in the stacking fault. Our calculations predict the accommodating capacity of the stacking fault for H to be larger than 3.4 × 1015 cm−2, consistent with the experimentally observed H blistering in W-based fusion reactor materials.
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