Damage resistance of B4C reflective mirror irradiated by X-ray free-electron laser
Damage resistance of B4C reflective mirror irradiated by X-ray free-electron laser
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B4C反射镜X射线自由电子激光辐照损伤性能
DOI：
10.3788/col202321.023401
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发表时间：
2023
影响因子：
3.5
通讯作者：
Zhanshan Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jinyu Cao;Shuhui Li;Yajun Tong;Ming Tang;Wenbin Li;Qiushi Huang;Huaidong Jiang;Zhanshan Wang
本文提出了一种结合蒙特卡罗模拟和焓法的简单理论模型来模拟X射线自由电子激光辐照下B 4 C/Si亚反射镜的抗损伤性能。两种不同的损伤机制被发现，依赖于光子能量。通过研究抗损伤性对膜厚的依赖关系，确定了最佳B 4 C膜厚。在优化膜厚的基础上，模拟了光子能量为0.4 - 25 keV，掠入射角为2 mrad时的损伤阈值。出于安全原因，建议应避免Si K边缘周围的能量范围。
In this paper, a simple theoretical model combining Monte Carlo simulation with the enthalpy method is provided to simulate the damage resistance of B 4 C/Si-sub mirror under X-ray free-electron laser irradiation. Two different damage mechanisms are found, dependent on the photon energy. The optimum B 4 C film thickness is determined by studying the dependence of the damage resistance on the film thickness. Based on the optimized film thickness, the damage thresholds are simulated at photon energy of 0.4 – 25 keV and a grazing incidence angle of 2 mrad. It is recommended that the energy range around the Si K-edge should be avoided for safety reasons.
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DOI：
10.1016/j.nima.2018.03.072
发表时间：
2017-06
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
影响因子：
--
作者：
Li Kai;Deng Haixiao
通讯作者：
Deng Haixiao
影响因子：
--
作者：
SHANKS, HR;SIDLES, PH;DANIELSON, GC
通讯作者：
DANIELSON, GC
DOI：
10.1117/12.724318
发表时间：
2007-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Yabashi;A. Higashiya;K. Tamasaku;H. Kimura;T. Kudo;H. Ohashi;S. Takahashi;S. Goto;T. Ishikawa
通讯作者：
M. Yabashi;A. Higashiya;K. Tamasaku;H. Kimura;T. Kudo;H. Ohashi;S. Takahashi;S. Goto;T. Ishikawa
DOI：
10.1016/j.nima.2018.08.047
发表时间：
2018-11
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
影响因子：
--
作者：
Huibin Lv;Yongbin Leng;Yingbing Yan;He Wang
通讯作者：
Huibin Lv;Yongbin Leng;Yingbing Yan;He Wang
影响因子：
4
作者：
A. Aquila;R. Sobierajski;C. Ozkan;V. Hájková;T. Burian;J. Chalupský;L. Juha;M. Störmer;S. Bajt;M. Klepka;P. Dłużewski;K. Morawiec;H. Ohashi;T. Koyama;K. Tono;Y. Inubushi;M. Yabashi;H. Sinn;T. Tschentscher;A. Mancuso;J. Gaudin
通讯作者：
A. Aquila;R. Sobierajski;C. Ozkan;V. Hájková;T. Burian;J. Chalupský;L. Juha;M. Störmer;S. Bajt;M. Klepka;P. Dłużewski;K. Morawiec;H. Ohashi;T. Koyama;K. Tono;Y. Inubushi;M. Yabashi;H. Sinn;T. Tschentscher;A. Mancuso;J. Gaudin